陕西东吉金属科技股份有限公司
钨圆靶

钨圆靶(图1)


 钨靶材

在半导体集成电路中,薄膜科学是开发制造半导体器件非常重要的科研领域。靶材是这种表面镀膜技术中的关键材料,靶材性能的优劣直接影响薄膜性能的好坏,进而影响到整个芯片制造的性能、成本、收益和综合竞争力

钨靶材经常作为物理气相沉积用溅射靶材,在半导体域用于制作栅电、连接布线、扩散阻挡层等。钨靶材主要应用于航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、冶金机械、熔炼设备、石油、等域。钨靶材是氧化钨薄膜在半导体器件实现其功能过渡的重要基体。


钨靶材物理性质:

元素符号: W

原子序数: 74

密度: 19.35 g/cm3

熔点: 3410±20℃

沸点: 5927℃

升华热: 847.8 kJ/mol(25℃)

蒸发热: 823.85±20.9kJ/mol(沸点)

电阻温度系数: 0.00482 I/℃

电子逸出功: 4.55 eV

纯度:钨99.95%以上

密度:19.35g/cm3

表面状态:磨光


钨靶类型:

精车表面钨靶材

离子束溅射用钨靶材

旋转钨靶材

平面钨靶材

直流溅射用钨靶材

多弧面钨靶材

非平衡磁控溅射用钨靶材

反应磁控溅射用钨靶材


技术优势: 高纯度,高致密度,平整度,晶粒均匀等轴,一致性高、

产品规格: 根据客户需求进行定制


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